Wirtschaft
NXP sorgt mit Gen8+ LDMOS HF-Leistungstransistoren für einen Wandel bei TD-LTE-Netzen
Freitag, der 14.Juni 2013
NXP sorgt mit Gen8+ LDMOS HF-Leistungstransistoren für einen Wandel bei TD-LTE-Netzen

Hamburg | Eindhoven: NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) stellt heute seine neuen Gen8+ LDMOS HF-Leistungstransistoren vor und erweitert damit die achte Generation seiner LDMOS-Produktlinie für Mobilfunk-Basisstationen, mit einem starken Fokus auf TD-LTE. In Vorbereitung auf die Realisierung des weltweit größten 4G-Netzes in China, ergänzt die Generation 8+ das TD-LTE-Portfolio von NXP, und macht sie damit zur umfangreichsten und leistungssärksten LDMOS-Palette, die momentan für TD-LTE verfügbar ist.

Die neuen Produkte zeichnen sich durch deutliche Verbesserungen in Sachen Performance, Flexibilität und Kosteneffizienz aus. Als erster Gen8+-Baustein wird der BLC8G27LS-160AV vorgestellt. Er ist die weltweit kleinste und kosteneffektivste Lösung für Verstärker mit 15 W oder 20 W Leistung für den Einsatz in Outdoor-Basisstationen (2,6 GHz) mit aktiver Antenne. Er kann bis zu fünf TD-LTE-Träger gleichzeitig verarbeiten und kommt über den gesamten Frequenzbereich von 2,5 bis 2,7 GHz auf einen hohen Wirkungsgrad.
NXP hat seine ersten Gen8+ TD-LTE-Produkte auf dem MTT-S International Microwave Symposium 2013 in Seattle (Washington/USA) präsentiert.
Zu den richtungsweisenden Eigenschaften des Gen8+-Portfolios zählt die Verwendung von ACP-Gehäusen (Air Cavity Plastic). Diese sind kostengünstiger und flexibler als Keramikgehäuse und machen es deshalb möglich, schneller mit neuen Produktvarianten auf den Markt zu kommen. Die neuen ACP-Gehäuse erlauben ferner die Verwendung verbesserter passiver Bauelemente, die die totale Leistungsfähigkeit steigern, indem sie die Leistungsaufnahme senken, gleichzeitig aber die Verstärkung und den Wirkungsgrad erhöhen. Die Gen8+ ergänzt ein umfangreiches Spektrum weiterer Gehäuseoptionen, darunter QFN-, OMP- und Keramikgehäuse.

Das Gen8+-Portfolio wendet sich zunächst an Basisstations-Applikationen mit Frequenzen zwischen 2.300 und 2.700 MHz. Als Erweiterung der bestehenden LDMOS-Produktfamilien von NXP erweitert der Gen8+ das umfangreiche, von 5 bis 240 Watt reichende Leistungsspektrum, das in jedem Frequenzband zur Verfügung steht. Die eindrucksvolle Leistung und der reduzierte Platzbedarf der Gen8+-Produkte ermöglicht weitere Kostensenkungen.

„Die Einführung der Gen8+-Produkte, die für Mobilfunk-Basisstationen mit Unterstützung für TD-LTE-Netze optimiert sind, fällt zeitlich mit der bevorstehenden Inbetriebnahme des weltweit größten 4G-Netzes in China zusammen. Indem wir das umfangreichste Portfolio an HF-Leistungsbausteinen dieser Art anbieten, konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden die bestmögliche Servicequalität zu niedrigsten Kosten anzubieten“, erklärt Christophe Cugge, Director of Marketing, Base Station Power Amplifiers bei NXP Semiconductors.

„Auf der Basis unserer langjährigen Erfahrung im Bereich der HF-Leistungshalbleiter wartet die Gen8+ LDMOS-Technologie mit nie dagewesener Performance, reduzierter Leistungsaufnahme und gesteigertem Wirkungsgrad auf – und dies zu deutlich niedrigeren Kosten. Das Resultat ist ein Wettbewerbsvorteil, den wir schon in naher Zukunft auch für alle übrigen Basestation-Anwendungen verfügbar machen wollen.” (Pressemeldung vom 13.06.2013)

Quelle: NXP Semiconductors | Foto: NXP Semiconductors
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